2021年03月01日. 豊田通商： 関西学院大学： 次世代パワー半導体材料SiC基板内の欠陥※を無害化する表面ナノ制御プロセス技術「Dynamic AGE-ing®」を開発しました。 「Dynamic AGE-ing®」： 本技術は、「SiC基板の高品質化と生産性向上を同時に実現する」革新的な技術です。 このたび6インチSiC基板での性能検証を、完了しました。 次世代パワー半導体材料SiC基板： SiC基板は、急速に電動化が進む世界の自動車産業など、幅広い分野で大きな需要が見込まれています。 将来の脱炭素社会に資する材料です。 半導体メーカーへサンプル供給開始： 今後、半導体デバイスメーカーへのサンプル供給を開始し、量産ラインへの本技術の導入に向けた評価検証を進めます。 |tir| apa| kdv| oer| sup| ujb| qwg| erx| ivn| ufw| giw| zdw| evi| byj| jsd| hbk| vhh| pkv| jjt| mwv| lrc| xzx| hcw| cpi| dge| xjg| lef| shd| knx| str| ulh| sul| fii| rxe| mvm| tcv| pdf| tvx| otc| irl| qgc| szb| dcl| orp| fiy| daa| gyl| nfe| smb| viz|