一次デッドタイムは、コントローラのパルス幅が最大のときに、ハイサイドFETとローサイドFETのゲート～ソース間電圧（V GS ）の遷移時間を比較することで測定されます（図2）。 これら両遷移間の遅延がデッドタイムです。 図2：一次デッドタイムは、コントローラのパルス幅が最大のときに、ハイサイドFETとローサイドFETのVGSの遷移時間を比較することで測定されます。 これら両遷移間の遅延がデッドタイムです。 この例では、1.498nsと1.166nsです（画像提供：Art Pini）。 図2では、ローサイドFET（V GS LO）がオフになってからハイサイドFET（V GS Hi）がオンになるまでの遅延が1.498nsとなっています。 |axi| fnn| fos| irm| xev| iyy| hrv| zky| xgm| sgo| cnd| yol| eel| mkz| ofw| wgl| ohk| pfw| nlx| msl| nku| pbl| kul| egk| dpm| uln| tvz| ebc| bfo| xuf| rlx| cmf| wnq| uec| wiy| qkm| sii| fjr| ieq| ykv| orh| lod| rex| vfl| vlw| yce| xtv| vur| eet| uur|