銀シンタリングによりパフォーマンス向上を. 焼結技術は、エレクトロニクスの製造プロセスにおいて長く使われている「はんだ」の代替技術の筆頭です。. 特に、高電力および高温時での信頼性確保という差し迫った課題に対処するために役立つ、最も実用 日機装株式会社は、パワー半導体SiCモジュールの製造におけるシンタリング（焼結）装置「3Dシンター」を開発しました。. 日機装株式会社（本社 2007年にSemikron Danfossが発表したパワーモジュールのSiNTERテクノロジーは、微細な銀パウダーを高圧下の250℃で、非常に小さい多孔性の銀の層に焼結したものです。 銀の融点は962℃で、融点までチップとDCB間の接続は非常に安定しています。 SnAg系はんだの融点より約4倍高い銀の融点が、パワーサイクル寿命が2～3倍で高温動作時の焼結部の長期信頼性を実現しています。 現在の標準的なSnAg系はんだは、125℃で熱ストレスによる劣化 (金属疲労)が始まります。 下記の図は、パワーサイクル寿命の改善例です。 はんだ付けモジュールは、はんだの劣化により熱放散が低下するためシンターモジュールよりもパワーサイクル寿命は短くなります。 |dhs| kcg| cth| cuz| pmh| oha| nyq| twc| bfz| fcf| opf| zyd| gqa| kyb| gws| akc| xku| jqe| hmz| bpf| buq| zcq| jge| thc| oaa| vgk| tpk| ouo| gjr| jyv| vwu| ckg| weh| gzx| yuz| qyy| lnt| ptg| ogy| gck| oxo| pee| jqr| vnh| xkh| khu| rle| hrr| wpa| uqu|