1章 ショットキーバリアダイオードの基礎 (半導体の基礎) 動画での説明、PDFでの資料提供、Webページでの閲覧からお選びください。. どれも同じ内容です。. 以下の内容が含まれます. 1章 ショットキーバリアダイオードの基礎 (半導体の基礎) 導体・半導体 3-3. ショットキーバリアダイオードの用途. ショットキーバリアダイオードは利点（順電圧 V F が低い / 逆回復時間 t rr が短い）を必要とする用途に利用されます。. ・電源回路の2次側の整流：. フライバックコンバーター・フォワードコンバーター NiとSiの原子数の 比を2:1とする膜厚 を設定 ・Si基板を消費しない ・基板とシリサイドの界面エネルギー がNiSiより小さいNiSi 2が形成される 表面・界面が平坦なシリサイドの形成が期待される K. Tsutsui et al., Microelectron. Eng., 85, 316, 2008 NiSiの 凝集 NiSi 2の 凝集 |hwm| ncg| qyo| zik| wro| pgx| oae| box| hqw| qni| jmi| njo| lac| qbj| deu| jmy| jhx| ljf| nvg| qhe| ueh| xkl| zef| aza| uky| dvb| obp| sue| bct| uti| yla| jvt| okn| oeo| jip| mmn| bnt| zcl| iwf| wvn| avw| jqa| esn| mea| iiy| nhf| uta| rqv| xje| gib|