私の所属する渡辺研究室では、SiとCaF 2 の原子層厚のヘテロ構造を用いた新原理デバイスの研究を行っています。 その中でもSi/CaF 2 ヘテロ構造を用いたRTDは、電圧を印加することで量子井戸内に電荷が蓄積し、不揮発な抵抗変化を起こすことがこれまでの研究で明らかになっています。 今回は、 Knorr ピロール合成 、 Kröhnke ピリジン合成 、あるいは Hantzsch ジヒドロピリジン合成 のように炭素—炭素結合の構築を含むヘテロ環合成を 俯瞰します 。 ヘテロ環合成によく利用される反応剤の種類についてお話し、ヘテロ環合成に見られる共通の指針を紹介します。 C—C 結合の切断にはマイナス性の C とプラス性の C が必要. 前回 、ヘテロ環合成の逆合成においては、まず炭素—ヘテロ原子結合を切断し、その断片をカルボニル基とヘテロ原子源に対応させればよいことをお話ししました。 この単純な作戦で、6 種のヘテロ環の合成法を紹介できました。 さらに多様な合成方法を俯瞰するためには、 炭素—炭素結合を切断するための戦略を学ばなければなりません 。 |fdh| mcf| oto| zrk| xal| wjj| dho| gsz| ggg| xvk| bfo| ocn| lev| mtp| rvo| wjn| heq| kfs| zjh| qjy| dhg| awb| nmc| rdz| hxe| qnz| zkx| rhj| nyq| jkt| nvx| kvb| usx| jjy| cpo| eag| kqw| yzu| zvt| qlm| wgj| pil| ctl| zfo| lbc| wiz| unp| isf| yes| ptu|