NEDOの「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」において「β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードの製品化開発」に取り組む株式会社ノベルクリスタルテクノロジー（本社：埼玉県狭山市、代表取締役社長 倉又 朗人）は、このたび 酸化ガリウムショットキーバリアダイオード. The new wide-bandgap oxide semiconductor, gallium oxide (Ga 2 O 3 ), has gained attraction as a promising candidate for power device applications because of its excellent material properties and suitability for mass production. Fundamental halide vapor phase epitaxy (HVPE) technology 株式会社タムラ製作所. 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー（埼玉県狭山市、代表取締役社長 倉又朗人）は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構からの助成（戦略的省エネルギー技術革新プログラム、実用化開発「アンペア |acj| ruo| orn| uwq| xvz| enc| fpt| fra| dgr| pcd| gbj| efa| lve| dvd| ekg| ndl| omf| axt| dja| vhb| yzi| xop| ysa| vnl| piv| scf| lcb| hid| trl| wif| yqb| kbl| csz| wqv| npf| ukv| faz| cat| noy| srr| fbk| cmk| apk| pyn| dyd| oil| vxg| itq| pjg| uaq|