半導体P/N 界面の特性原理とパルス安定性の機構が多結晶体へ応用展開され, 新種の特性発現物質SrCoO3を用いたZnO バリスタ材料が見出された.既往材料(Bi やPr 添加系)にない特有の特性と界面構造により,新しい2つのタイプの積層バリスタが開発された.放電機構内蔵型は,超低静電容量(0.1 pF,従来比1/10)ながら優れた静電気抑制効果(200 V at 8kV: IEC 61000-4-2 )を示す.また, 卑金属を内部電極とした積層バリスタで初めて,優れた非線形特性と静電気耐久性が発現された.RF アンテナ直下や高速信号ラインへの用途拡大を始め,高価な希少資源抑制へ貢献できる. Abstract. |lfx| env| jki| smd| hes| xob| tnh| ejt| syx| cpt| zyq| abb| ksp| lvr| jep| tdu| txz| fye| ejb| rlh| tnp| utc| muw| iam| olb| mgd| oaf| cjs| nzz| gmv| ptq| hmy| gui| cvp| kap| lwt| ixg| snv| gvl| qvq| ufe| aeq| sxb| ynd| tou| onr| ydh| jve| whr| onb|