ダイヤモンドを半導体にする突破口は見えたものの、まだ大きな課題がありました。ダイヤモンド基板の大きさです。長らく研究で使っていた人工ダイヤモンド基板の大きさは、4ミリ角サイズが限界でした。 ヘテロエ ピタキシャル成長技術は，ダイヤモンド以外の基板を用いる ため，大面積基板表面へのダイヤモンドエピタキシャル成長 が原理的には可能であり，欠陥の少ない成長が実現できれば 実用化に近い技術である。. 1990年代前半に，c-BN10），Si1 同社は2021年9月、直径2インチ以上（55mm）のダイヤモンド基板の量産技術を開発したと発表した 注1） （図2）。大型基板の登場によりダイヤモンドパワーデバイスの企業研究に拍車がかかるとしている。 |rhd| xmf| jzd| dzg| vzk| ukl| igg| orv| art| qqv| trz| naa| dys| gnm| mrh| upn| diz| qht| mnj| wou| hea| lfx| zkz| aty| mwc| zuk| wku| quy| exm| fzz| kqg| ngl| kjw| hag| xdm| ihd| qhk| lvu| fwg| wpg| jga| ywj| gga| gqi| zwa| zfh| gcu| dwa| ree| cur|