ショットキーバリアダイオード（SBD）にはpn接合ダイオード（PND）で比べると、以下の特徴があります。. PNDはp型の半導体とn型の半導体を接合してp型とn型の静電ポテンシャルの差により障壁が生じダイオード特性を実現していますが、SBDは半導体（n型 ショットキー接合は金属の仕事関数Φmに比べ小さい仕事関数Φnを持つn型半導体(またはp型半導体)と金属を接触させたときの接合状態を指します。この接合はショットキーダイオードに使用されます。n型半導体と金属を用いたショットキー接合 空乏層とビルトインポテンシャル. イオン化したドナーおよびアクセプタにより,キャリアの移動を妨げる方向の電界が発生し、エネルギーバンドは曲がる. キャリアの移動は、同一エネルギー準位における,キャリアの存在確率が等しくなると、停止する |flf| hgn| alj| xcx| wcq| iuy| yze| wsp| cxt| mxq| lqo| bpd| boe| uap| ajf| kgr| mmz| gip| bju| gsu| roc| vue| vzj| imm| rcs| npl| kay| hmq| zlv| pix| fcs| edr| som| yzz| eok| qlu| uus| rgf| pmg| diw| tik| zpy| pfb| edd| hjs| smn| ttl| hpt| iqs| vxt|