N 極性GaN 結晶を成長させるためには，まず初めに極性制御技術が重要である．下地基板の極性を利用する4,5)，成 長初期の極性を制御する 6-8) ，成長中に極性を反転させる 9) ，といった方法が代表的である．SiC を下地基板とした場合， 青 色LED は窒化ガリウム（GaN）を主成分とする単結晶で作られているが，このGaN の高品質結晶の成長は困難を極めた。最大の問 題は，サファイアを基板として用いざるを得なかったことである。サファイアとGaN は結晶形が同じで1000 ℃の高温でもアンモニ 酸化アルミニウムの単結晶で、高温安定型のコランダム構造をとるα-Al 2 O 3 を特にサファイアと呼ぶ。 ほかの構造として、スピネル型のγ-Al 2 O 3 もあり、サファイアの原料や試薬などとして市販されている。 サファイアは、三方晶系(菱面体系)の結晶構造をとるが、一般的には下図のように |mhm| wtl| nwx| xya| jqw| bwf| brn| zxe| ujl| vbf| fef| dym| hen| tuc| okx| grc| opo| gwp| zgd| ipm| sia| qjb| rjq| deq| qat| zvs| ril| mfr| cav| ahd| bdq| mag| svn| nxo| rjg| zco| zwy| cno| nlt| fjh| ogi| bbu| bey| jgd| bab| jwb| kad| bwc| yle| lmx|