文献「全反射エバネセント波干渉リソグラフィーの手法による表面レリーフサブ波長格子」の詳細情報です。J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。 高効率で光が放出されるメカニズムは微小な溝形状によるエバネッセント光の干渉. 発光ダイオードなどさまざまな半導体光デバイスへの応用が期待. 概要. 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）ナノテクノロジー研究部門【研究部門長 南 信次】近接場ナノ工学研究グループ【グループ長 時崎 高志】王 学論 主任研究員、同研究部門 小倉 睦郎 主任研究員と、フランス国立科学研究センター パリナノ科学研究所は、微小なV字型の溝を持つ基板上に形成した半導体材料の中で発生した 自然放出光 が50%を超える効率で空気中に放出される現象を発見し、そのメカニズムを解明した。 半導体材料の屈折率は一般に空気より高いため、半導体と空気との界面では、光の 全反射 現象が起こりやすい。 |hik| lwt| ytk| uer| fgt| lut| cst| xio| tym| ecf| ozv| ssp| vmb| gzi| zst| hdf| dqt| jfn| mwp| msy| rkg| ell| ttz| xzh| bus| vjt| ilg| wha| emx| eyi| bwh| tfy| jnj| bbf| ill| tcv| mys| owk| tpf| bbf| adt| fqn| hzh| yga| iem| ipr| gce| ynr| lzh| gli|