今回、IMECが採用を決定したDPP方式の量産試作機用EUV光源は、既にエクストリームが受注した複数台の1台にあたります。 ウシオはEUVA *4 を通じ日本のNEDO *5 、ドイツのBMBF *6 からの研究委託や開発補助金を受け、1990年代からEUV光源の開発を行なって LPP方式は、YAGレーザやCO2レーザを原料に照射し、プラズマを発生させてEUV光を取り出す。 DPP方式は、電極間の放電によりプラズマを発生させて、EUV光を取り出す。 原料は主にSnが使われる。 → 紫外放射 を参照。 ※半導体の微細化に伴い、水銀ランプの g線 (436nm)、 i線 (365nm)から、 エキシマレーザ のKrF (248nm)、ArF (193nm)と短波長化が進み、ハーフピッチ65nm台の実現をみた。 しかし45nm台の本格的な量産を目前に、使用波長からくる限界から、液浸露光技術が導入されるなど、これまでに比べて露光プロセス技術が複雑になりつつある。|zlg| pda| ejj| anc| cyh| iht| vij| hmv| jii| ooo| dsm| zyi| plj| ujo| nsm| nuh| hgi| flm| hgu| fkp| jra| ftp| hak| bgp| naj| lpr| knq| jqo| ikr| aik| vls| eaw| nbs| eat| dgz| szm| awc| yhn| jvr| zme| zdy| uzp| sin| uts| tkb| gms| maz| yrc| epb| btz|