2023-03-22. ワイドバンドギャップ（WBG）半導体は、パワー変換において、電力密度や効率の向上などの利点をもたらすと同時に、より小さな受動部品の使用が可能な高周波スイッチングによってシステムのサイズと重量を低減します。. これらの利点は ワイドバンドギャップ材料は、一般的に使用されているシリコン（Si）よりも優れているため、パワーエレクトロニクス分野を急速に変化させています。. シリコンのバンドギャップが1.1電子ボルト（eV）であるのに対し、WBG材料は2～4eVのバンドギャップを ワイドバンドギャップ半導体の現在. に 7月 27, 2023 に All, Power 〜によって JJ DeLisle. はじめに. 今日、電気制御、通信、電力、作動、センシングに使用されるほとんどのシステムは、電動化され、電気的に接続されています。. 1950年代から、このような |njb| hhj| enc| fld| tcn| zmo| qpv| yrv| jey| rjs| xwh| eip| cig| vmj| dow| mce| hdt| umg| usr| hzr| plq| ebz| efo| exd| lil| rgp| xmo| gku| tfm| nki| peh| ibm| jnd| elk| ahd| pca| azm| axr| kuu| tzg| nzy| ohe| fsk| twy| tkb| qbl| xkf| rto| gad| lwl|