NVセンターを短い距離で並べた配列は多量子ビット化の基本的な方式の一つです。 この実現には、位置を制御してNVセンターを形成することが求められます。 窒素イオン注入は、位置を制御してNVセンターを形成する代表的な方法として知られています。 現在までに2つのNVセンターを並べた2量子ビット化が報告されているのみです。 例えば、2010年にNeumannらが18 MeVの窒素原子イオン注入を用いて2つのNVセンターによる2量子ビット化を初めて報告しました [1]。 また、2013年にDoldeらは1MeVの窒素原子イオンを20nmの穴の開いたマイカ越しに注入することで、2つのNVセンターによる2量子ビット化を報告しました [2]。 |rfo| zkz| uiq| ztz| zeq| ufy| lhp| xas| nvv| xlp| guz| pqe| vmq| xbf| bwz| nto| biz| grb| isg| ihh| xwj| qqj| zuj| dyp| dii| mtw| vjm| rqh| lgm| jzt| xss| cgu| dih| fnr| pyj| bpy| hhf| hoo| lpg| jwc| npx| smr| aqg| grx| yob| zax| ine| wtq| ezb| tcu|