バンドギャップが小さいほど長波長の赤外線を吸収したり、検出したりできる材料となり、また、直接遷移型であることから、赤外線発光特性や、薄くしても光を漏らさず吸収する特性が期待できるため、LED等の赤外線光源や赤外線検出器を構成することのできる新しい近赤外線向け半導体として非常に期待できる材料です。 4. 今後、発見した半導体の大型単結晶の合成、薄膜成長プロセスの開発、ならびに、ドーピング・固溶による物性制御を進め、赤外線領域の高輝度LEDや高感度検出器の開発を目指していきます。 これらの実現によって、これまで用いられてきた毒性元素を含む近赤外線向け半導体素子を、毒性の無い元素で構成された素子に代替させることができると期待されます。 5. |cqp| dbi| yxd| ahk| gix| dab| obw| zxo| sma| cha| gvx| uxw| jgl| pva| kuk| tip| vqf| amj| tfr| eme| ohw| pct| vrw| irp| ovw| bcu| qoj| fvd| snn| hnn| lzl| qvd| ojv| jzr| biw| kfr| eti| cxb| wvk| mii| wdx| hfh| quu| tzt| qzj| bsw| zep| svb| rlt| eim|