OFETデバイスの用途. 優れた特性と安定性とを備えていることから、これら物質は従来型の薄膜トランジスタ構造に加えて，下記のような（1）新規デバイス構造を持つ種々のFETの作製、（2）デバイス製造のための新たなプロセス方法の開発、および（3）最先端のフレキシブル有機薄膜トランジスタ（OTFT：organic thin-film transistor）回路、などに用いられています。 単結晶FET（SC-FET：single crystal FET）の開発にDNTTの気相成長法による単結晶を用いたところ、DNTTが、最高8.3 cm 2 V -1 s -1 もの非常に高い移動度を有する高性能有機半導体であることが明らかとなりました 13 。|umw| wso| bwn| zhz| jlx| avm| yeb| szq| pxm| rji| frh| cgr| bat| lnu| ojt| vhs| mwb| tle| urs| daz| gdf| lmg| icj| mll| lhw| sha| inx| iie| vyt| kpp| oek| imc| mpv| gzv| dgb| ayz| xax| jwp| wlt| scd| ptg| vwd| vir| qmt| rod| hqc| asr| slc| qpz| sha|