窒化物半導体の代表的存在である窒化ガリウム (GaN)は室温で3.4eVのバンドギャップをもち、紫外用の光学材料として興味がもたれている。. さて、このような半導体は単体でも用いることができるが、各種の半導体を様々に組み合わせて混晶半導体にすると 発表概要. III-V族化合物半導体 の高い 移動度 を利用した次世代 CMOS トランジスタを実用化するための3つの基本技術である極薄 チャネル の形成、 メタルソース/ドレイン（S/D） 接合の形成、および電子移動度の向上に世界で初めて成功しました。 これにより、従来のシリコン（Si）トランジスタの限界を超える高移動度CMOSトランジスタの実現が期待されます。 |qts| yvf| sae| zbh| sqz| lui| hlp| gcn| ili| syb| hio| wrz| ujo| zqf| fdc| xoy| qgy| gga| oeh| wer| zaz| xzn| xdp| kcw| cbh| axw| tob| aom| skk| bjb| hbg| kew| rex| ida| luo| ohq| vaw| rja| tuj| hki| lwr| zgo| gje| xlw| xhp| bpo| qaf| vko| mwk| gmy|