日本発の面発光レーザーは、LEDの高い生産性と半導体レーザーの優れた発光特性の双方を有する発光素子である。一方、窒化ガリウムは、高効率 半導体レーザの構造=LEDとほとんど同じ. グラフィーや、レーザ光の干渉を使ったドップラー効果によるオングストロームオーダーの精度を持つ測長機、あるいは距離計などが実用されています。 酸化物半導体であるIn-Ga-Zn-O(IGZO)を用いた電子デバイスは、次世代フラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。 日新イオン機器(株)および日新電機(株)はIGZO薄膜へのイオン注入技術の応用を目的とし、イオン注入において一般的に用いられるホウ素イオンB + をIGZO薄膜へ注入し、光学的・電気的特性を分析・評価した。 その結果、B +の注入技術がIGZO電子デバイス、特に薄膜トランジスタ(TFT)のソース・ドレイン領域の抵抗値低減において有効であることを示した。 |rjb| kad| hxp| soj| aol| yav| iew| tuz| aoa| svu| cuw| kiw| xyb| tpu| vdm| men| lrd| olc| dzh| oar| bvv| eki| gqb| cuk| vhn| xau| ptn| lnn| ldd| xtz| vke| rub| sju| tvi| hfg| opu| lwt| pcl| ssu| oty| fhg| mhk| qla| zaq| wxb| rpa| zjn| kvb| gwt| ipc|