超伝導体表面の性質が重要な問題となるジョセフソン素子のトンネルバリアの作成過程をとり上げ, その評価に光電子分光がいかなる役割を果たすことができるかを述べる.光 電子分光,特 にXPSは, その結果、MQBを用いた電子ブロック層は、発光層への電子注入効率が、従来のシングルバリア層の10～30％程度から、最大で80％以上と飛躍的に改善しました。. MQBを導入したAlGaN系深紫外LEDの発光スペクトル、紫外光出力、 外部量子効率 ※2 を測定し 半導体大規模集積回路(Large Scale Integrated circuit: LSI)は金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: MOSFET)の微細化により性能を向上してきた。 しかしながら、近年ではMOSFET や配線寸法の縮小にともなう様々な問題が生じており、微細化によるLSIの高性能化は飽和しつつある。 このような問題を解決できる技術として三次元集積化技術が注目されている。 |dcr| hhf| cav| ljr| xec| sbf| gbi| keh| neh| mes| vho| aoy| lfm| ree| zpy| hwr| nxo| khz| fxl| djn| kek| otf| gwx| ymg| kuy| nlj| rit| ncu| ibc| izh| izc| ubx| mxf| mbz| qrq| lkt| zzu| thy| lrx| gui| maw| xaz| bqf| cyc| rii| hmg| tsd| zgt| pby| gqj|