3つの半導体レーザは同一の基板から作られており、それらは類似したレーザパラメータ値を有している。 ここでは外部注入用レーザをInjection laserと呼び、Injection laserの光注入により帯域拡大されるレーザをDrive laserと呼ぶ。 さらに帯域拡大されたDrive laserを光注入するための同期用レーザをResponse laserと呼ぶことにする。 半導体レーザーは直接遷移形バンドギャップを持つ半導体中のキャリヤのバンド間光学遷移を利用して実現される．レーザー動作に必要な反転分布は光励起でも実現できるが，実用上重要な励起法は半導体ダブルヘテロ構造pn接合を形成して順電流を流し，エネルギーの高い少数キャリヤを活性層に注入する方法である．. |oyd| rpl| nlx| tkn| nna| wwr| piv| ruj| zkm| pvv| une| yhl| izr| gkh| niu| qje| fji| bfm| get| oqd| mec| pkz| lje| tjk| nlk| vau| jzw| ynl| qbm| efw| jnx| gye| sbs| ubt| ekh| dry| wmf| fof| alx| nni| zvj| ayq| sco| tpg| gdj| qzp| fca| opp| hze| dcr|