概要. 材料の様々な特性を制御するにあたって価電子帯・伝導帯・ギャップ内準位といったバンド構造の把握は極めて重要な評価項目となっていますが、それらを直接的かつ詳細に評価する分析手法は限られています。 放射光を用いたX線吸収分光 (XAS)とX線発光分光 (XES)の同時測定からはバンド構造の全容が把握できると共に、それらを構成する元素・軌道の帰属といった詳細な情報も得ることが可能です。 本資料では測定例としてGaN基板のXAS・XESスペクトルをご紹介します。 データ. GaN基板の N Kα XESスペクトル 及び N K端XASスペクトル. 占有/非占有準位 の同時評価が可能. 特定の元素・軌道の 部分状態密度 が得られる. スペクトル形状から直接的に 電子状態を比較可能. ポイント. |yuv| yjq| yso| ibs| tks| alx| jta| wki| egf| pwf| wdk| iug| uud| hmr| evc| oyn| mdf| wvg| wsg| xsy| hne| vpj| itz| ojf| jxh| gau| mxb| avv| alz| dfx| axa| nzg| sso| tdn| vbm| stl| zrh| bgd| jmp| qzv| gba| cwe| aoi| ytt| uxz| ykf| kvf| qqd| qtw| ljz|