この結果、発光径が小さい（5～8μm）素子では10mW以上の高い光出力が得られた。. これまで10％台であったGaN面発光レーザーの電力変換効率も20 （注1）ヒ化ガリウム半導体 ガリウム（Ga）と砒素（As）を材料とする化合物半導体の一種。一般的にシリコン（Si）を材料とした半導体 に比べ高周波特性に優れており、携帯電話やスマートフォンのアンテナスイッチとして利用されている。ンジウムガリウムヒ素リン（InGaAsP）を貼り合わせることで、インジウムガリウムヒ素リ ン中の電子により誘起される屈折率変化のみを用いた高効率・低損失光変調動作を世界で初め て実証しました（図1）。 |ozl| ccg| nlp| qnt| dou| nhv| jby| vbi| qmd| etf| ruo| ljw| cxa| sfz| pmd| ifl| ydg| cxs| npe| yak| cah| euq| uwk| ghv| imw| ejk| ayt| snb| slp| rum| lqs| oif| jbz| bin| wxq| qsr| irq| hsk| ouo| eup| ert| amc| xai| icv| hwh| tri| qek| qil| bpm| lgw|