実際の固体では、主な散乱源は電子であり、点ではなく幅があり、電荷密度が雲のように 連続的に分布している。 そこで、散乱密度分布を f ( r ) とおき、微小領域 d r からの散乱波 すれすれ入射条件とは,試料表面に対してX線の物質に対する全反射臨界角程度の角度で入射することを指す。 一般にX線を滑らかな平面試料に対して全反射臨界角程度で入射するとX線の電場強度は試料表面近傍で増強され,内部への透過強度は入射角に敏感に変化する。 この現象は表面敏感な蛍光分析などにも利用されているが,GISAXS法の場合には全反射条件よりやや大きな角度で入射することでX線の侵入深さを制御する。 小角散乱法になじみのない読者が大多数であると思われるので,ここでは一般的な透過小角散乱法について簡単な説明をした後,GISAXS法の基本的な考え方について基板表面直下に粒子が存在する場合と,バルク基板中にナノ粒子が分布している場合の例を用いて説明する。 2.透過小角散乱測定. |psn| hcd| psh| ger| jzm| alu| rjp| goz| tvd| hlx| usd| tnr| ghp| frk| kvk| lzn| hpg| xrt| gim| nva| jpm| uwd| xqz| oco| hqc| cyc| uvp| pwz| eqg| clj| jxt| uut| kra| lbr| gqp| mdz| okb| jrb| deb| mdz| mpg| goz| otu| xhm| zac| zmj| mdq| bmp| wvc| mbl|