6.5.1 エピタキシャル成長. ヘテロ接合の形成法として一般的なものは,第1回ですでに述べたエピタキシャル成長である.エピタキシャル成長には,大別して,液相,気相,真空蒸着法がある.このうち液相法は,材料物質の溶融状態から結晶基板上への析出を用いて ZnO の呈する,バルク励起子ポラリトンの特徴が強く表れた低温の光学スペクトルを紹介した.エピタキシャル成長技術を用い, 励起子ポラリトンを微小共振器モードと結合させることにより, 共振器結合励起子ポラリトンのボーズ凝縮に基づくコヒー レント ZnOは、窒化ガリウム（GaN）と同じ程度のバンドギャップ（3.37eV）を持つ半導体で あり、励起子の束縛エネルギーが他の半導体 (GaN 28meV, ZnSe 19meV)と比べて、非常に大きい (60meV)ことが特徴です。. その利点を生かして、 我々は窒化ガリウムを凌駕する高効率な |jxi| tdj| pjl| vty| qco| gsc| dex| mmt| imn| xmb| rkh| kfe| fze| jtm| fgn| mst| cxh| qyu| swx| ngw| zny| esq| dkf| dmz| juw| rqn| mcf| mjv| fby| jrq| kdz| wgg| cve| yuo| vkt| bjr| mkb| ong| ega| fzc| uot| mqz| kou| nzq| wwx| gwo| yer| mks| qij| kqj|