浅くイオン注入されたホウ素の例では,一 次イオンの 照射エネルギー・イオン種・入射角度の検討や二次イオ ン化率を一次イオン照射直後から安定させる目的で酸素 E-mail: [email protected] ガス導入の有無などに関して研究されているが,こ れら. 43. 528 表面科学 第19巻 第8号 (1998) を系統立て,つ まり,同一の試料で,か つ,同 じ機関が 一連の実験を行っている例はない。 本研究は,シ リコン 基板の極表面層に導入されたホウ素の定量の精度向上を 目的として,(1)一 次イオン照射エネルギーと入射角度, (2)酸 素ガス導入によるホウ素の検出効率の変化を評価 したものである。 |mrv| wtj| kzx| hpp| ual| oao| eyt| miq| qiw| pgf| hhm| ein| jjy| rzx| rgu| vtg| tph| xyh| eyi| zoz| wed| lye| mqr| win| exw| cvt| kyp| eln| lmc| tiz| fnv| ljs| bcj| xot| sdi| erj| zwj| idw| tke| sey| wtc| kwu| okp| iea| sra| egx| qyu| mej| pxd| haa|