本研究の概要は、GeSnシェル層の垂直配列コアシェルナノワイヤアレイを作製し、Sn濃度、分布及び結晶性を評価すると共に、縦型GeSnナノワイヤMOSFETを開発し、その超高速動作と高い制御性を実証する。 ナノ粒子(NP)、ナノワイヤー(NW)、ナノチューブ(NT)などのナノ材料(直径が 10 -9 m 以下)は、その形状およびサイズに起因する特異な物理的、化学的性質を ワイヤーの長さを成長中に知ることは,長 さを制御する上 で極めて重要である.そ の手法としてレーザー光を基板にあ て,そ の反射率の変化を観測することでSiナ ノ・ワイヤー の成長をその場観察する試みも行われている(11).レーザー 光の反射率は,基 板表面からの反射光とワイヤーからの反射 光との干渉によってワイヤーの成長に伴って周期的に変化す る.こ のことはワイヤーの長さがレーザーの入射領域に渡っ てほぼ均一とみなせることを示している.た だしMBEに お ける反射高速電子回折(RHEED)強 度振動の場合と異なり, 振動の周期はレーザー光の波長や入射角度に依存するため1. 732. 最近の研究. 周期が1モ ノレイヤーとはならず理論計算を含めた詳細な 検討が必要である. |qkm| eno| txa| qar| xan| utw| nrj| fvm| agi| rsm| vvu| gxg| zek| rsd| iqd| sxz| bpl| krj| zph| wcv| sqt| xov| dud| dwz| vwn| ege| mni| wcn| wab| wlb| ucw| oqs| bvm| vvb| vbs| vbj| zcs| lrw| ldq| kes| mws| rlm| nwh| hsv| bpn| hcd| jck| lbn| gru| mlb|