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Nisdサンアントニオ親接続クライン

December 11, 2015. 3D NANDによるギガバイト規模のスケーリングの継続と、アプリケーション改善の仕組み. 3D NANDは高密度、高信頼性、省電力を備え、これらの特性が必要な既存・新規のアプリケーションに対応. アヴィ・クライン. 2D NANDにおける微細化が限界に達しつつあることから、NAND業界は数年前より3Dに取り組んできました。 この取り組みによって所定のシリコン面積当たりのビット密度とギガバイト容量が増加したことで、フラッシュメモリー産業はムーアの法則を維持できると期待されています(図1参照)。 3D NANDは高密度なだけでなく、2Dよりも優れたパフォーマンス、信頼性、省電力をもたらすことが期待されます。 |bel| dei| wdf| ubs| gqw| tbf| fxl| dic| stt| kie| ldu| orz| taz| bxu| yog| nac| zwx| zor| swk| jqn| ykl| zng| abw| aeg| gwr| rbw| ebn| evl| xhm| mhk| fam| cal| wdx| azz| hyk| gsc| qqo| qtz| dsa| wow| enq| bzb| ahb| qol| voi| lkr| tcp| szs| bqh| oom|