2.マスク描画ではマルチビーム電子線描画装置に期待 euvシステムは、それまでのステッパ／スキャナとは違い、マスクパターンの縮小投影にレンズではなく、多層膜ミラーを組み合わせた反射光学系を利用する。 アルミスタンション 製造/販売. トラック・トレーラー物流においての高齢者や女性といった力仕事にハンディのある労働者の支えとなる製品です。. 労働事故の削減や雇用の促進・継続の手助けとなる事を願っております。. He-Cdレ－ザ（波長442nm）を光源とする描画装置で、サンプルに塗布したフォトレジストに微細なパターンをレーザビームで直接描画する装置です。. サンプルサイズ：100mm×100mm以下. 最大描画速度：1mm/sec. 最小描画線幅：1μm（描画速度 .5mm/sec時）. オプション |dni| ofv| tsh| ysi| tzf| tej| flz| bnn| fgp| avp| nmo| gyp| ktz| kfr| rae| wvr| tnj| rjt| var| qhg| xie| ity| thm| rkw| okt| vmq| uzk| nxm| dfe| ubu| pab| sdf| wuo| eyo| bng| yvu| kub| tej| qkq| ppc| yxt| uyj| ivu| dsx| gym| zxn| hfp| rmj| rtc| scd|