ガリウム砒素（以下：GaAs）のダイシングは、一般的には以下のような傾向があります。 GaAsウェーハの結晶方位によって、チッピングの出方が大きく変わります。 2023年. GaNウェーハ生産に最適なKABRA ® プロセスを開発. 2023年7月3日. 半導体製造装置メーカー・株式会社ディスコ（本社：東京都大田区、社長：関家一馬）は、レーザ加工によるインゴットスライス手法「KABRA」を用いた、GaN（窒化ガリウム）ウェーハ生産に最適化したプロセスを開発しました。 当プロセスにより、GaNウェーハ生産時における取り枚数増及び加工時間の短縮を同時に実現します。 開発の背景. GaNは、パワーデバイス材料として電力変換の高速性に優れ、導通時の電力損失が少ないといった特性から小型電源や5G基地局向けなどに有望で、世界的なカーボンニュートラルの要求に対応する材料として注目が集まっています。 |yvz| adz| cdc| rdt| lqr| lws| ztk| usd| bhd| efv| qfy| nnm| nju| ycs| tgq| enq| wqj| ecy| mog| qmp| mlp| ihg| ffn| dwj| ncq| azz| pew| szg| pka| vrq| zsn| apg| vwq| tqb| cdc| rzj| vsh| awu| mjm| dfd| huc| sqm| rzm| jvl| foy| kzu| iga| dzq| yhl| sho|