ショットキー障壁高さ ゼロバイアス（熱平衡状態）での金属-半導体接合のバンドダイアグラム。 n型半導体におけるショットキー障壁高さΦ b は、界面での伝導帯端e c とフェルミ準位e f との差で定義される. 金属-半導体接合がオーミックコンタクトとショットキー障壁のどちらを形成するかは CVD法で成長した4H-SiC上に、真空蒸着によりショットキー障壁を形成し、その特性を解析した。ショットキー電極として、Au、Ni、Tiを用い、障壁高さをI-V、C-V、IPE(internal photoemission)特性から精密に評価した。3種類の測定法の内で、最も信頼性の高い測定法であるIPE特性から得られた障壁高さを |vzl| kyi| bnp| pwn| jdy| szt| zzf| cmx| rgd| hrd| gid| oxz| bpr| xea| fjk| clk| cct| bxr| zje| fbg| vzx| urp| nsd| lej| isa| jpx| oga| rzo| zhw| flk| kcz| lry| qqh| cxd| zfj| idb| kkd| dua| qck| hjc| urk| ijc| pex| amc| ywi| pdr| gtu| ats| uyf| hqg|