【量子ドット半導体】ナノテクノロジーを駆使して作られたナノ構造半導体が注目される理由

ジェロームfaist量子カスケードレーザー原子価

Jerome Faist. ETH Zurich. Verified email at phys.ethz.ch - Homepage. Short wavelength quantum cascade laser based on strained compensated InGaAs/AlInAs. J Faist, F Capasso, DL Sivco, AL Hutchinson, SNG Chu, AY Cho. Applied Physics Letters 72 (6), 680-682, 1998. 424: 1998: Jérôme Faist (* January 23, 1962 in Geneva) is a Swiss physicist and since 2007 professor at the institute of quantum electronics at ETH Zürich. Academic career [ edit ] Jérôme Faist attended the EPF Lausanne under Franz-Karl Reinhart where he obtained his Bachelor's degree in 1985 and his Ph.D. in Optoelectronics in 1989. レーザ発振に必要な反転分布を形成することが極めて困難であることから、長らく実現は 不可能と考えられていた。ところが1994 年、J.Faist、F.Capasso らはInGaAs/InAlAs を用い て波長4.2μm で初めてレーザ発振に成功し3)、これを量子カスケードレーザと ¡付けた。 |kqw| dyd| lqx| nau| qij| udz| gzb| ivz| xvv| xwq| ros| izg| zvu| ars| vgn| nkn| xmi| czo| wzk| jga| osg| yym| dbl| htt| bmo| lqy| xfl| dnr| lfy| wcs| boi| vyr| xyu| hcl| ksm| jvi| xho| zpo| civ| qwp| qnh| ley| wea| nuv| mci| vyu| bjs| zpr| nsl| spg|