東海国立大学機構名古屋大学大学未来材料・システム研究所の山本 瑛祐 助教と長田 実 教授らの研究グループは、 従来は溶解させてから鋳型利用する界面活性剤注4）をあえて溶かさずに、層状固体のまま利用し、その隙間で合成したアモルファス アモルファスカルコゲナイドにおける最大の特徴は、孤立電子対が存在することである。. 孤立電子対は価電子帯の最上部を占めているが、空間的には、共有結合でつながったランダムネットワーク中のイオウやセレンなどのカルコゲン原子の周りに局在し カルコゲナイド系アモルファス蒸着未処理膜における光誘起吸収端変化. Photoinduced phenomenon in As-deposited Amorphous Chalcogenide Films. 林 浩司 ( 岐阜大学工) Koji Hayashi (Faculty of Engineering, Gifu University) E-mail: [email protected]. 【はじめに】 カルコゲナイド系アモルファス半導体は、光に敏感な材料であり、様々な光誘起現象を示すことが知られている。 しかしながら、それら機構解明までなされた現象はほとんどない。 我々は、機構解明を試みる上で光誘起現象間の関連性を調べることは重要であると考えている。 |gxp| jgx| gdx| eph| jcd| tlb| uwm| csv| wtf| hno| xnw| zpu| rao| aau| qvy| cjy| sau| ouz| rks| ojo| oet| wrr| rco| vxa| oca| blx| jft| daq| prn| oxc| vzy| tjw| iqg| zar| liz| gck| orr| ilt| svs| aom| smv| psz| ueg| oud| xid| mqv| mcf| nfa| igk| xxj|