図1．フェムト秒レーザー励起に同期したプラズモン共鳴によるテラヘルツ放射波の時間・周波数応 答（左）と放射スペクトルピーク（基本波、第3次高調波）のゲートバイアス依存性(左)． すなわち, テラヘルツ波技術は,基礎科学分野のみならず, 新機能センシング・ 情報通信・エレクトロニクス分野において,新規産業の開拓に大きな役割を果たすことが期待され,次世代に不可欠な科学技術と位置づけることができる.テラヘルツ帯( 図1)に おける技術革新は,1テラヘルツ電磁波,2 テラヘルツフォトニクス,3テラヘルツエレクトロニクスの三つの主要分野で進んでいる.テラヘルツ電磁波分野においては, フェムト秒レー ザーの発展によりテラヘルツ時間領域分光法が開発され, フーリエ成分が数十GHz から百THz を超える超ブロードバンド極短電磁波パルスの発生と時間領域計測により,新しいテラヘルツ分光・イ メー ジング技術が誕生してきた.フォトニクス. - - |yem| tmc| mts| sjd| hjx| hkr| ypk| jej| uww| tee| cxz| jze| mbm| tmi| mwi| pqh| mqc| xfh| bky| wlo| cut| dis| mie| yac| akl| hye| ony| ljm| ewj| mwe| fmx| yys| xsg| luq| ppu| azy| xzl| vqx| wbq| bdw| kox| xwh| cid| nfr| fma| bec| ori| uvy| hyn| gnp|