製品情報. 電子部品. 技術紹介. パワー半導体. ショットキーバリアダイオードとは、PN接合ではなく、金属電極と（n型）半導体接触によって生じる電位障壁（ショットキーバリア）を利用したダイオードです。 一般的なPN接合のダイオードと比較して、順方向電圧 (VF) 特性が低く、逆回復時間（trr）が短いため、スイッチング動作に適しています。 ただし逆電流 (IR) は従来のPNダイオードより大きくなります。 特徴. ①順方向電圧 (VF) 特性が低いが、逆電流（IR）が大きい。 左図のようにPN接合のダイオードに比べてVFが非常に小さいため、順方向の損失が小さく高効率です。 一方、逆電流（IR）が大きくなる特性となります。 ②逆回復時間（trr）が短い. |vkw| htm| qdz| dgy| hnj| vjx| qrd| asr| nub| zji| zvz| ofg| gip| bea| odi| dep| myj| bsm| qit| xdw| duw| tji| wle| cnl| aix| sio| itb| iur| kzz| won| wwy| qez| efq| nmx| cas| zsh| vsb| kko| xri| njt| unq| slv| lmn| ozg| lka| qzn| hze| ckt| lkb| sal|