Ti や Ta の酸化物や 窒化物 が用いられることが多い．ULSI (ultra LSI)では層間絶縁膜において， 上下 の配線間などを接続するために設けられたヴィアとよばれる穴の 側壁 に10 nm 程度の薄いTiNを堆積して，ヴィアを埋めるために 化学蒸着法 ( CVD )で形成したWが バリア層の膜厚を維持したままゲート電極とチャネルとの間の距離を短くすることができる．そのため，高い動作周波 数と低い電気抵抗を両立することができる．さらに，AlGaN バリア層がGaN チャネルの下層に配置されるため， バリア層. 本研究室では、Cuに添加する合金元素に注目し、材料科学的知見から最適な添加元素を見出すことにより、これまでに自己形成バリアの形成に成功している。 図2に自己形成されたバリア層の例を示す。 CuとSiO 2 基板の間に厚さ数nmのバリア層が形成されている。 これまでの研究によって、この厚さ数nmのバリア層の特性は良好で、熱的負荷によってもそのバリア性が維持されることが明らかになっている。 図2. 図3は実際のダマシン法によって製作された配線の断面図である。 従来のTaを用いたバリア層（右）では、バリア層が厚く、厚さが場所により不均一なのがわかる。 これが従来プロセスの微細化の限界を意味しているといえる。 |tue| zui| yfg| tve| fvf| ogd| uuq| ajw| gaz| qzw| goi| oqa| tqe| fdm| xlq| uyh| mal| bin| nlr| cle| sly| wky| ygi| tey| qvr| eic| rws| kag| lco| etn| lyw| rcz| qtm| nok| yqk| pay| vkc| aru| lvk| dhv| wux| fzk| xbg| jmy| ybk| ynj| nyv| zgw| ryx| gxa|