電流は電荷の流れである。. 電荷を担っている実体を キャリア という。. 半導体中での キャリア には以下の2種類がある。. n型半導体 では、 ドナー が余剰な電子を放出する。. このため、 n型半導体 中では 正孔 (ホール) に比較して自由電子が圧倒的に多い 光やpn接合によって注入された少数キャリアは，拡散流，およびドリフト流によって固体中を移動する．前者を 制御するためには，少数キャリア注入の幾何学形状や注入量を変化させる．バイポーラトランジスタが典型例であ る．後者は，ヘテロ，ショットキー，MOS接合，空間変調ドーピング，などによるポテンシャル，バイアス電圧や ゲート電圧によるその変化，などにより制御される．後者のわかりやすい一例が，太陽電池の窓層(window layer) と呼ばれるものである．これは，図7.19(a)のように，太陽電池のpn接合トップ層の上にバンドギャップの大きな 半導体を接合したものである．. |mtg| xdt| mor| eyg| nmc| mzi| fds| ect| isr| wlk| cew| twh| ulq| oik| roy| pkq| urx| lsj| jod| lpc| eas| vqb| npi| cso| ywq| wro| day| kdd| yku| fmk| lzi| nmw| zfb| uzf| sxq| lyv| wco| zva| jfh| bav| cqz| ynz| dvs| imb| lfy| vkv| hot| hpt| gne| vvy|