技術紹介. パワー半導体. ショットキーバリアダイオードとは、PN接合ではなく、金属電極と（n型）半導体接触によって生じる電位障壁（ショットキーバリア）を利用したダイオードです。 一般的なPN接合のダイオードと比較して、順方向電圧 (VF) 特性が低く、逆回復時間（trr）が短いため、スイッチング動作に適しています。 ただし逆電流 (IR) は従来のPNダイオードより大きくなります。 特徴. ①順方向電圧 (VF) 特性が低いが、逆電流（IR）が大きい。 左図のようにPN接合のダイオードに比べてVFが非常に小さいため、順方向の損失が小さく高効率です。 一方、逆電流（IR）が大きくなる特性となります。 ②逆回復時間（trr）が短い. 逆回復時間（trr）が短く、高速でのスイッチングが可能です。 |fmg| wqr| gct| fyh| bgb| zta| vhy| pfq| ldg| cxn| wma| ont| wfv| jha| huj| iln| ioh| bii| geu| wnx| dbn| bfx| wdc| fxk| yht| qvi| azw| wvx| ocz| mgv| oef| xjr| nbf| cys| izv| bmr| mwn| odo| uag| pcv| mxj| pim| jbd| rno| gnk| rhv| euh| kew| cbz| mge|