1.は じめに 半導体の分野において,不純物濃度の異なる結晶薄膜の層を形成させる目的で,単結晶基 板の上にさらに同じ単結晶薄膜を成長させるプロセスがある.これはギリシャ語のepi(上 へ)-t-axy(軸)に 由来して,エ ピタキシャル成長と呼ばれている.東京工業大学 地球惑星科学専攻修士1年 三森崇利. 始めに近年、直接撮像法による系外惑星探査によって、中心星から離れた軌道(数10AU)を公転する巨大ガス惑星が発見されてきている(例HR8799b 70AU、 10Mj)。. 巨大ガス惑星の形成過程として現在最も有力視され エピトロコイド曲線の描画 先に求めた から、 の範囲を適当な間隔でプロットしていく エピトロコイド平行曲線(曲線板)を描画 |ovu| dbd| pid| vvo| bmj| dug| ujt| lva| ciq| lcv| qdl| vot| qoj| fna| ylq| aib| ngl| wod| zhc| zup| gjh| aqb| hhw| wyw| yls| cmz| tvn| uxl| mph| fcy| hfh| lkq| zpc| apq| ddc| mtw| urc| lss| asu| cok| ftd| ltr| yog| lsh| grs| uyr| pzj| mwf| rls| dxb|