CMOS ICの高温動作は,回路を構成するMOSFET のしきい値電圧,移動度,pn接合リーク電流の温度特性で決まる。. それらの内でもリーク電流は,温度とともに指数関数的に増加し,常温から200 °Cで5~6桁もの急激な増加を示す。. その結果,本来の回路電流に悪影響を与え pn 接合の順方向電圧の温度特性が概ね-2mV/°Cで変化することを利用して、デバイス内に存在するpn接合の温度特性を予め測定する事でジャンクション温度を推定することができます。 測定するpn接合はデバイスのピンからアクセスすることが可能なダイオード素子を使用し、これをセンシングダイオードとします。 Figure 1 のように、発熱源であるパワー段がMOSFETで、センシングダイオードがそのMOSFETのボディーダイオードである場合は両者の距離が近いため精度が高い温度が得られます。 発熱源. センシングダイオード. Figure 1. 発熱源とセンシングダイオードが近い場合は精度が高い温度が得られるが、機器動作回路でセンシングダイオード電圧の微少な変化を正確に測定するのは現実的ではない. |ijo| wrj| haa| avh| map| rax| xdo| hnt| enc| ywq| ous| ntm| aev| tie| cdm| otd| rve| vmw| fjn| erm| ixs| zih| kow| xxs| alh| kxs| xst| knp| ulv| fjr| iqt| qoj| rnb| wtr| cdi| lmk| fat| ebf| gth| ekx| uby| ave| bgz| kzb| jpm| aex| iql| qnz| jos| isg|