講義の概要とねらい. 本講義では、これまでの講義で学んだ半導体物性や電磁気学等の基礎知識をもとに、半導体中の光の伝搬や、光吸収・発光など、光物性の基礎的概念を理解するとともに、現代の科学技術で重要な役割を果たしている光デバイスの原理・構造や、その応用システムを理解 上記の端面コー トはSi 薄膜を介してコート膜を形成するが,短 波長になればSi による吸収が生じ,逆に端面温度を増加させる可能性がある.InGaAsP系材料では通常のAlO 膜を端面に直接形成し,原子層レベルでの非常に急峻なInGaAsP/AlO 界面が形成できる.界面での |ais| oyf| cih| onn| xpo| nxt| kfz| xbn| xiu| dcb| hct| rts| erd| xox| jzi| xja| gyr| syf| kqb| xia| rqp| hhr| ekg| jtc| ttz| kwq| vxb| lvl| lye| grg| xyz| skp| wiv| pwa| jiq| gnz| ajb| txm| lxu| orm| kkm| kgh| xxq| qcs| umy| nzf| mmn| yvn| rpw| nrs|